Difference between revisions of "Vacuum Deposition Recipes"
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{| border="1" style="border: 1px solid #D0E7FF; background-color:#ffffff; text-align:center;" class="collapsible wikitable" |
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| width="65" | [[Sputter 1 (Custom)]] |
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| width="85" | [[Sputter 2 (SFI Endeavor)|Sputter 2<br>(SFI Endeavor)]] |
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+ | | width="75" | [[Sputter 3 (ATC 2000-F)|Sputter 3<br>(ATC 2000-F)]] |
| − | | width=" |
+ | | width="75" | [[Sputter 4 (ATC 2200-V)|Sputter 4<br>(ATC 2200-V)]] |
| width="85" | [[Sputter 5 (Lesker AXXIS)]] |
| width="85" | [[Sputter 5 (Lesker AXXIS)]] |
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| width="65" | [[Thermal 1]] |
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Revision as of 13:16, 9 July 2012
This table can be used to help located the needed recipe.
Vacuum Deposition Recipes
| |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| E-Beam Evaporation | Sputtering | Thermal Evaporation | Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) |
Atomic Layer Deposition | Ion-Beam Deposition (IBD) | Molecular Vapor Deposition | |||||||||||
| Material | E-Beam 1 (Sharon) | E-Beam 2 (Custom) | E-Beam 3 (Temescal) | E-Beam 4 (CHA) | Sputter 1 (Custom) | Sputter 2 (SFI Endeavor) |
Sputter 3 (ATC 2000-F) |
Sputter 4 (ATC 2200-V) |
Sputter 5 (Lesker AXXIS) | Thermal 1 | Thermal 2 | PECVD 1 (PlasmaTherm 790) |
PECVD 2 (Advanced Vacuum) |
Unaxis VLR ICP-PECVD | |||
| Ag | Y | ||||||||||||||||
| Al | |||||||||||||||||
| Al2O3 | |||||||||||||||||
| AlN | |||||||||||||||||
| Au | |||||||||||||||||
| B | |||||||||||||||||
| Co | |||||||||||||||||
| Cr | |||||||||||||||||
| Cu | |||||||||||||||||
| Fe | |||||||||||||||||
| Ge | |||||||||||||||||
| Hf | |||||||||||||||||
| HfO2 | |||||||||||||||||
| In | |||||||||||||||||
| Ir | |||||||||||||||||
| ITO | |||||||||||||||||
| Mo | |||||||||||||||||
| Bn | |||||||||||||||||
| Ni | |||||||||||||||||
| Pd | |||||||||||||||||
| Pt | |||||||||||||||||
| Ru | |||||||||||||||||
| Si | |||||||||||||||||
| SiN | Y | ||||||||||||||||
| SiO2 | |||||||||||||||||
| SiOxNy | |||||||||||||||||
| Sn | |||||||||||||||||
| SrF2 | |||||||||||||||||
| Ta | |||||||||||||||||
| Ta2O5 | |||||||||||||||||
| Ti | |||||||||||||||||
| TiN | |||||||||||||||||
| TiO2 | |||||||||||||||||
| V | |||||||||||||||||
| W | |||||||||||||||||
| Zn | |||||||||||||||||
| ZnO2 | |||||||||||||||||
| Zr | |||||||||||||||||
| ZrO2 | |||||||||||||||||
Recipes
E-Beam Evaporation
Recipe 1
- Step 1 ....
- Step 2...
Recipe 2
Sputtering
Thermal Evaporation
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)
SiN deposition (PECVD #1)
- Clean (30CLN_SN)
- Initial t=10", p=2x10-2, T=250C
- N2 Purge t=30", p=300mT
- evacuate, base pressure=2x10-2, t=10"
- loop
- gas stabilization, t=30"
- etch chamber, t=30'
- evacuate, t=10"
- N2 purge
- evacuate
- loop
- SiN gas stabilization
- SiN deposition( 200A coat)
- evacuate
- N2purge, t=30"
- end
- SiN deposition (SiN_10) 130.8 A/min
- Initial t=10"
- N2 purge t=30"
- evacuate, t=10"
- loop
- SiN gas stabilization, t=30"
- SiN deposition t=8'11.2"
- evacuate, t=10"
- N2 purge t=30"
- evacuate t=10"
- loop