Difference between revisions of "Dry Etching Recipes"
Jump to navigation
Jump to search
| Line 392: | Line 392: | ||
| |
| |
||
| |
| |
||
| + | | {{rl|ICP Etching Recipes|InP Etch (Unaxis VLR)}} |
||
| − | | |
||
| |
| |
||
| |
| |
||
Revision as of 13:16, 20 August 2012
Dry Etching Recipes
| ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RIE Etching | ICP Etching | Oxygen Plasma Systems | Other Dry Etchers | |||||||||||
| Material | RIE 1 (Custom) |
RIE 2 (MRC) |
RIE 3 (MRC) |
RIE 5 (PlasmaTherm) |
Si Deep RIE (PlasmaTherm/Bosch Etch) |
ICP Etch 1 (Panasonic E626I) |
ICP Etch 2 (Panasonic E640) |
ICP-Etch (Unaxis VLR) |
Ashers (Technics PEII) |
Plasma Clean (Gasonics 2000) |
UV Ozone Reactor | Plasma Activation (EVG 810) |
XeF2 Etch (Xetch) | |
| Al | ||||||||||||||
| Ti | ||||||||||||||
| Cr | ||||||||||||||
| Ge | ||||||||||||||
| Ag | ||||||||||||||
| Ru | ||||||||||||||
| Mo | ||||||||||||||
| Ta | ||||||||||||||
| W | ||||||||||||||
| Al2O3 | ||||||||||||||
| HfO2 | ||||||||||||||
| ITo | ||||||||||||||
| SiO2 | ||||||||||||||
| SiN | ||||||||||||||
| SiOxNy | ||||||||||||||
| Ta2O5 | ||||||||||||||
| TiO2 | ||||||||||||||
| TiN | ||||||||||||||
| ZnO2 | ||||||||||||||
| ZrO2 | ||||||||||||||
| GaAs | ||||||||||||||
| AlGaAs | ||||||||||||||
| InGaAlAs | ||||||||||||||
| InGaAsP | ||||||||||||||
| InP | R | |||||||||||||
| GaN | ||||||||||||||
| AlGaN | ||||||||||||||
| AlN | ||||||||||||||
| GaN | ||||||||||||||
| AlGaN | ||||||||||||||
| AlN | ||||||||||||||
| GaSb | ||||||||||||||
| CdTe | ||||||||||||||
| ZnSe | ||||||||||||||
| Si | ||||||||||||||
| SiC | ||||||||||||||
| Sapphire | ||||||||||||||
| Material | RIE 1 (Custom) |
RIE 2 (MRC) |
RIE 3 (MRC) |
RIE 5 (PlasmaTherm) |
Si Deep RIE (PlasmaTherm/Bosch Etch) |
ICP Etch 1 (Panasonic E626I) |
ICP Etch 2 (Panasonic E640) |
ICP-Etch (Unaxis VLR) |
Ashers (Technics PEII) |
Plasma Clean (Gasonics 2000) |
UV Ozone Reactor | Plasma Activation (EVG 810) |
XeF2 Etch (Xetch) | |