Difference between revisions of "Dry Etching Recipes"
Jump to navigation
Jump to search
| Line 478: | Line 478: | ||
| |
| |
||
| |
| |
||
| − | | {{rl|ICP Etching Recipes|InP Etch (Unaxis VLR)}} |
+ | | {{rl|ICP Etching Recipes|ICP-Etch (Unaxis VLR)|InP-InGaAs-InAlAs Etch (Unaxis VLR)|InP Etch (Unaxis VLR)}} |
| |
| |
||
| |
| |
||
| Line 495: | Line 495: | ||
| |
| |
||
| |
| |
||
| + | | {{rl|ICP Etching Recipes|ICP-Etch (Unaxis VLR)|InP-InGaAs-InAlAs Etch (Unaxis VLR)|InP Etch (Unaxis VLR)}} |
||
| − | | |
||
| |
| |
||
| |
| |
||
Revision as of 09:44, 29 July 2016
- R = Recipe is available. Clicking this link will take you to the recipe.
- A = Material is available for use, but no recipes are provided.
Dry Etching Recipes
| |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RIE Etching | ICP Etching | Oxygen Plasma Systems | Other Dry Etchers | ||||||||||||
| Material | RIE 1 (Retired) |
RIE 2 (MRC) |
RIE 3 (MRC) |
RIE 5 (PlasmaTherm) |
Si Deep RIE (PTI/Bosch) |
ICP Etch 1 (Panasonic 1) |
ICP Etch 2 (Panasonic 2) |
ICP-Etch (Unaxis VLR) |
Ashers (Technics PEII) |
Plasma Clean (Gasonics 2000) |
UV Ozone Reactor | Plasma Activation (EVG 810) |
XeF2 Etch (Xetch) |
Vapor HF Etch (uETCH) |
CAIBE (Oxford) |
| Al | A | R | R | ||||||||||||
| Ti | R | A | |||||||||||||
| Cr | A | R | A | ||||||||||||
| Ge | |||||||||||||||
| Ag | |||||||||||||||
| Pt | R | ||||||||||||||
| Au | R | ||||||||||||||
| Ni | R | ||||||||||||||
| Cu | |||||||||||||||
| Ru | |||||||||||||||
| Mo | |||||||||||||||
| Ta | |||||||||||||||
| W-TiW | R | A | |||||||||||||
| Al2O3 | |||||||||||||||
| HfO2 | |||||||||||||||
| ITO | R | ||||||||||||||
| SiO2 | R | R | R | ||||||||||||
| SiN | R | R | |||||||||||||
| SiOxNy | |||||||||||||||
| Ta2O5 | |||||||||||||||
| TiO2 | |||||||||||||||
| TiN | |||||||||||||||
| ZnO2 | |||||||||||||||
| ZrO2 | |||||||||||||||
| GaAs | R | R | R | R | |||||||||||
| AlGaAs | R | R | R | ||||||||||||
| InGaAlAs | R | R | |||||||||||||
| InGaAsP | R | R | |||||||||||||
| InP | R | R | |||||||||||||
| GaN | R | R | R | ||||||||||||
| AlGaN | |||||||||||||||
| AlN | |||||||||||||||
| GaN | |||||||||||||||
| AlGaN | |||||||||||||||
| AlN | |||||||||||||||
| GaSb | |||||||||||||||
| CdZnTe | R | ||||||||||||||
| ZnSe | |||||||||||||||
| Si | R | R | |||||||||||||
| SiC | R | A | |||||||||||||
| Sapphire | R | A | |||||||||||||
| Material | RIE 1 (Retired) |
RIE 2 (MRC) |
RIE 3 (MRC) |
RIE 5 (PlasmaTherm) |
Si Deep RIE (PlasmaTherm/Bosch Etch) |
ICP Etch 1 (Panasonic E626I) |
ICP Etch 2 (Panasonic E640) |
ICP-Etch (Unaxis VLR) |
Ashers (Technics PEII) |
Plasma Clean (Gasonics 2000) |
UV Ozone Reactor | Plasma Activation (EVG 810) |
XeF2 Etch (Xetch) |
Vapor HF Etch (uETCH) |
CAIBE (Oxford) |